Лебедев, Александр Александрович (физик)

15.12.2020

Александр Александрович Лебедев (род. 1959, СССР) — советский и российский физик-экспериментатор. Специализируется на изучении физических свойств карбида кремния и других широкозонных полупроводников, разрабатывает приборы на основе таких материалов. Автор более 300 научных трудов по данной тематике. В настоящее время заведует лабораторией и Отделением в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе РАН, гор. Санкт-Петербург. Доктор физико-математических наук, профессор.

Биография, карьера

Родился в 1959 году. Сын и полный тёзка Александра Александровича Лебедева (1929—1999), физика, доктора наук, всю жизнь проработавшего в ФТИ. Мать Лебедева-младшего, Майя Августовна (1929—2003), — кандидат наук, также сотрудница ФТИ. Дед по отцу, Александр Алексеевич (1893–1969), — учёный-оптик, сотрудник ГОИ, академик АН СССР.

По окончании обучения в ЛЭТИ принят на работу в ФТИ в лабораторию, возглавлявшуюся тогда В. Е. Челноковым. Появился в институте ещё студентом (как практикант в лаборатории И. В. Грехова). В свои первые трудовые годы активно взаимодействовал с отцом, вместе они опубликовали несколько статей. В Физтехе Лебедев прошёл все ступени служебной лестницы от старшего лаборанта до заведующего лабораторией и одновременно Отделением твердотельной электроники. Стал доктором физико-математических наук.

Параллельно с научной работой, преподавал в СПбГЭТУ. Сейчас занимает там должность профессора кафедры оптоэлектроники.

В 2019 году был одним из трёх претендентов на пост директора ФТИ РАН.

Научная деятельность

Лебедев — специалист в области физики, технологии и приборных применений широкозонных полупроводников, в первую очередь карбида кремния. При его участии:

  • разработана технология эпитаксии слоёв SiС с заданными параметрами, при этом впервые для исследования широкозонных полупроводников применён метод нестационарной ёмкостной спектроскопии;
  • доказана возможность работы приборов на основе SiC при температурах свыше 800 0C и уровнях излучения на два порядка больших, чем предельные значения для кремниевых приборов с теми же рабочими параметрами;
  • создан новый тип гетеропереходов — между двумя кристаллическими модификациями одного и того же полупроводникового материала;
  • предложена технология формирования графена термодеструкцией поверхности SiC, исследованы свойства полученных плёнок и изготовлены газовые и био- сенсоры на их основе.

Автор более 300 публикаций, в том числе монографии и 6 авторских свидетельств и патентов.

В сотрудничестве лаборатории Лебедева с ПАО «Светлана-Электронприбор» разработана и внедрена технология изготовления высокочастотных SiC p-i-n диодов, а также организовано производство монокристаллов SiC.

Преподавание, оргработа

Подготовил трёх кандидатов наук.

Входит в состав двух диссертационных советов, является членом редколлегии журнала "Advanced Materials Letters", членом экспертного совета РНФ.

Член программных комитетов ряда международных конференций по физике карбида кремния и родственных материалов.



Имя:*
E-Mail:
Комментарий:
Информационный некоммерческий ресурс fccland.ru © 2020
При цитировании и использовании любых материалов ссылка на сайт обязательна